Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-47770" >
Narrow-line exciton...
Narrow-line excitonic photoluminescence in GaN/AlxGa1-xN quantum well structures with inversion domains
-
- Shubina, Tatiana (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
Jmerik, VN (författare)
-
Ivanov, SV (författare)
-
visa fler...
-
Kop'ev, PS (författare)
-
Kavokin, A (författare)
-
- Karlsson, K Fredrik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Holtz, Per-Olof (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2003
- 2003
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121 .- 1550-235X. ; 67:24, s. 241306-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Microphotoluminescence studies reveal strong and narrow lines of similar to1-meV minimal width in GaN/AlxGa1-xN quantum well (QW) structures having inversion domains (IDs). These narrow lines coexist in the spectra with broad (10-15 meV) peaks. The features of both kinds are characteristic for intersections of the IDs with QWs, which provide either three- or one-dimensional carrier confinement, depending on both the ID diameter and well width.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas