Strong suppression of spin generation at a Fano resonance in a semiconductor nanostructure

Beyer, JanLinköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan (författare)

We observe remarkable, complete suppression of spin generation under optical excitation in a thin InAs/GaAs wetting layer close to the light-hole excitonic resonance, leading to zero electron spin polarization as monitored by adjacent InAs quantum dots. The suppression is attributed to efficient spin relaxation/scattering at the Fano resonance between the light-hole exciton states and the heavy-hole continuum of the wetting layer. The complete suppression is found to remain effective up to temperatures exceeding 100 K.

Buyanova, IrinaLinköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan(Swepub:liu)iribo40 (författare)
Sernelius, Bo E.Linköpings universitet,Teoretisk Fysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)bose02 (författare)
Suraprapapich, SDepartment of Electrical and Computer Engineering, University of California at San Diego, La Jolla, USA (författare)
Tu, C. W.Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, La Jolla, California, USA (författare)
Chen, WeiminLinköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan(Swepub:liu)weich55 (författare)
Linköpings universitetFunktionella elektroniska material (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Beyer, Jan; Buyanova, Irina; Sernelius, Bo E.; Suraprapapich, S; Tu, C. W.; Chen, Weimin

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.