Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-87566" >
Chloride-Based CVD ...
Chloride-Based CVD of 4H-SiC at High Growth Rates on Substrates with Different Off-Angles
-
- Leone, Stefano (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Pedersen, Henrik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Beyer, Franziska (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Andersson, Sven (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Kordina, Olle (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Henry, Anne (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Canino, Andrea (författare)
- Consiglio Nazionale delle Ricerche IMM, Catania, Italy
-
- La Via, Francesco (författare)
- Consiglio Nazionale delle Ricerche IMM, Catania, Italy
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications Inc. 2012
- 2012
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum Vols 717 - 720. - : Trans Tech Publications Inc.. ; , s. 113-116
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A review of recently achieved results with the chloride-based CVD on 8 degrees and 4 degrees off-axis and nominally on-axis 4H-SiC wafers is done to clarify the epitaxial growth mechanisms on different off-angle substrates. The process conditions selected for each off-axis angle become even more difficult when running at growth rates of 100 mu m/h or more. A fine-tuning of process parameters, mainly temperature, C/Si ratio and in situ surface preparation is necessary for each Wangle. Some trends related to the surface properties and the effective C/Si ratio existing on the surface prior to and during the epitaxial growth can be observed.
Nyckelord
- Chloride-based CVD; homoepitaxial growth; substrate off-angle; high growth rate
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)