Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:miun-23476" >
Oxygen content and ...
-
Possnert, GUppsala Universitet
(författare)
Oxygen content and depth profiling in silicon surface technology studied by the 16O(α, α)16O resonance at 3.045 MeV
- Artikel/kapitelEngelska1978
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
1978
-
electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:miun-23476
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:miun:diva-23476URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
The use of the t6O(o,o)160 elastic scattering resonance reaction forthe study of low concentration of oxygen such as found in interfacesin silicon technology is described. We have investigated the depth resolution and the limit of the sensitivity that can be obtained with thismethod. The method has been applied to the study of AlrQ{r "sandwich" film structures and to Au and amorphous Ge contacts to silicon.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Fahlander, CUppsala Universitet
(författare)
-
Orre, BUppsala Universitet
(författare)
-
Norde, HUppsala Universitet
(författare)
-
Petersson, StureUppsala Universitet(Swepub:miun)stupet
(författare)
-
Tove, P. A.Uppsala Universitet
(författare)
-
Uppsala Universitet
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Physica Scripta18, s. 353-3560031-89491402-4896
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas