Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:ri-13432" >
Modelling and optim...
-
Edwards, MichaelUniversity of Bath
(författare)
Modelling and optimisation of a sapphire/GaN-based diaphragm structure for pressure sensing in harsh environments
- Artikel/kapitelEngelska2010
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:ri-13432
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:ri:diva-13432URI
-
https://doi.org/10.1109/ASDAM.2010.5666320DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
GaN is a potential sensor material for harsh environments due to its piezoelectric and mechanical properties. In this paper an 8mm diameter sensor structure is proposed based on a GaN / AlGaN / sapphire HEMT wafer. The discs will be glass-bonded to an alumina package, creating a 'drumskin' type sensor that is sensitive to pressure changes. The electromechanical behaviour of the sensor is studied in an attempt to optimise the design of a pressure sensor (HEMT position and sapphire thickness) for operation in the range of 10 - 50 bar (5 MPa) and above 300°C. ©2010 IEEE.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Vittoz, S.CNRS
(författare)
-
Amen, RafaelRISE,IVF
(författare)
-
Rufer, L.CNRS
(författare)
-
Johander, PerRISE,IVF
(författare)
-
Bowen, C.R.University of Bath
(författare)
-
University of BathCNRS
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Conference Proceedings - The 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010, s. 127-1309781424485758
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas