Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-208373" >
Unique UV-Erasable ...
Unique UV-Erasable In-Ga-Zn-O TFT Memory With Self-Assembled Pt Nanocrystals
-
Cui, Xing-Mei (författare)
-
Chen, Sun (författare)
-
Ding, Shi-Jin (författare)
-
visa fler...
-
Sun, Qing-Qing (författare)
-
- Nyberg, Tomas (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
Zhang, Wei (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 34:8, s. 1011-1013
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Semiconducting amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) films are integrated with an Al2O3/Pt-nanocrystals/ Al2O3 gate-stack to form UV-erasable thin-film transistor (TFT) memory. The threshold voltage (V-th), sub-threshold swing, I-ON/I-OFF ratio, and effective electron mobility of the fabricated devices are 2.1 V, 0.39 V/decade, similar to 10(6), and 8.4 cm(2)/V.s, respectively. A positive V-th shift of 2.25 V is achieved after 1-ms programming at 10 V-th, whereas a negative V-th shift as large as 3.48 V is attained after 5-s UV erasing. In addition, a 10-year memory window of 2.56 V is extrapolated at room temperature. This high-performance a-IGZO TFT memory is suitable for optical touch-panel applications.
Nyckelord
- In-Ga-Zn-O
- nonvolatile memory
- Pt nanocrystals (NCs)
- thin-film transistor (TFT)
- ultraviolet (UV)
- Engineering Science with specialization in Electronics
- Teknisk fysik med inriktning mot elektronik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas