onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-210689"
Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-210689" > Very High Current G...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Edholm, BengtUppsala universitet,Fasta tillståndets fysik,Fasta tillståndets elektronik (författare)
Very High Current Gain Enhancement by Substrate Biasing of Lateral Bipolar Transistors on Thin SOI
- Artikel/kapitelEngelska1993
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- Elsevier BV,1993
- printrdacarrier
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:uu-210689
- https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-210689URI
- https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-181743URI
- https://doi.org/10.1016/0167-9317(93)90192-8DOI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Olsson, Jörgen,1966-Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik(Swepub:uu)jorgolss (författare)
- Söderbärg, AndersUppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik (författare)
- Uppsala universitetFasta tillståndets fysik (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:Infos: Elsevier BV22:1-4, s. 379-382
- Ingår i:Microelectronic Engineering: Elsevier BV22:1-4, s. 379-3820167-93171873-5568
Internetlänk
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Edholm, Bengt
- Olsson, Jörgen, ...
- Söderbärg, Ander ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Elektroteknik oc ...
- och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
- Infos
- Microelectronic ...
- Av lärosätet
- Uppsala universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
