onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-77341"
Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-77341" > DIVACANCY DISTRIBUT...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
DIVACANCY DISTRIBUTIONS IN FAST-ION IRRADIATED SILICON
-
- HALLEN, A (författare)
- Uppsala universitet
-
- SVENSSON, BG (författare)
- Uppsala universitet
- (creator_code:org_t)
- GORDON BREACH SCI PUBL LTD, 1994
- 1994
- Engelska.
- Ingår i: RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS. - : GORDON BREACH SCI PUBL LTD. - 1042-0150. ; 128:3, s. 179-186
- Tidskriftsartikel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The distributions of divacancies of single negative charge state produced by fast ion irradiation (E greater than or equal to 1 MeV/nucleon) have been established by deep level transient spectroscopy (DLTS). The divacancy concentration profiles from irrad
Nyckelord
- PROTON IRRADIATION; SILICON; LIFETIME; DIVACANCY; STRAGGLING; DLTS; LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; PROTON IRRADIATION; DEFECT PRODUCTION; LIFETIME CONTROL; CHARGE STATE; ELECTRON; TRAPS
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- HALLEN, A
- SVENSSON, BG
- Artiklar i publikationen
- RADIATION EFFECT ...
- Av lärosätet
- Uppsala universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
