Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-84641" >
Anomalous behaviour...
Anomalous behaviour of the current noise in long-narrow-channel MOSFETS and its interpretation
-
- Vandamme, LKJ (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap
-
Kish, LB (författare)
-
Stoelinga, OLJ (författare)
-
(creator_code:org_t)
- PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, 1999
- 1999
- Engelska.
-
Ingår i: SOLID-STATE ELECTRONICS. - : PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD. - 0038-1101. ; 43:4, s. 697-700
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- An anomalous behaviour of noise in n-type CMOSFETs with narrow, long channels has been found. At fixed drain voltage, biasing the device well in saturation, the noise current abruptly decreased by more than an order of magnitude with increasing gate volta
Nyckelord
- 1/F NOISE; TRANSISTORS; QUALITY; DEVICES; MOS
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas