Pressure Variation of the Strain State of MnAs Nanoclusters Embedded in GaAs

Granular GaAs:(Mn,Ga)As films were prepared by annealing at 500 degrees C under ambient and enhanced hydrostatic pressure (1.1 GPa), of Ga1-xMnxAs/GaAs layers (x = 0.025, 0.03, 0.04, 0.05 and 0.063) grown at 230 degrees C by molecular beam epitaxy method. Distinct influence of enhanced hydrostatic pressure applied during sample annealing on strain state of inclusions was found. An increase of lattice distortion and of strain of inclusions for the samples treated under hydrostatic pressure is related to different bulk moduli of GaAs and of MnAs

Dynowska, E. (författare)
Romanowski, P. (författare)
Misiuk, A. (författare)
Sadowski, JanuszLund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory(Swepub:lu)maxl-jsa (författare)
Caliebe, W. (författare)
Lunds universitetMAX IV-laboratoriet (creator_code:org_t)

Ingår i:Acta Physica Polonica. Series A: General Physics, Physics of Condensed Matter, Optics and Quantum Electronics, Atomic and Molecular Physics, Applied Physics121:4, s. 903-9050587-4246

Av författaren/redakt...: Bak-Misiuk, J.; Dynowska, E.; Romanowski, P.; Misiuk, A.; Sadowski, Janusz; Caliebe, W.

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.