Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:a52d275e-4d1c-4ed6-b249-a4e0ec116976" >
TiO2 chemical vapor...
TiO2 chemical vapor deposition on Si(111) in ultrahigh vacuum: Transition from interfacial phase to crystalline phase in the reaction limited regime
-
Karlsson, P. G. (författare)
-
Richter, J. H. (författare)
-
- Andersson, Martin (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Kemisk fysik,Enheten för fysikalisk och teoretisk kemi,Kemiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Chemical Physics,Physical and theoretical chemistry,Department of Chemistry,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
visa fler...
-
Johansson, M. K-J. (författare)
-
- Blomquist, Jakob (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Kemisk fysik,Enheten för fysikalisk och teoretisk kemi,Kemiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Chemical Physics,Physical and theoretical chemistry,Department of Chemistry,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Uvdal, Per (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Kemisk fysik,Enheten för fysikalisk och teoretisk kemi,Kemiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Chemical Physics,Physical and theoretical chemistry,Department of Chemistry,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Sandell, A. (författare)
- Uppsala universitet,Yt- och gränsskiktsvetenskap,Molekyl- och kondenserade materiens fysik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2011
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Surface Science. - : Elsevier BV. - 0039-6028 .- 1879-2758. ; 605:13-14, s. 1147-1156
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The interaction between the metal organic precursor molecule titanium(IV) isopropoxide (TTIP) and three different surfaces has been studied: Si(111)-(7 x 7), SiOx/Si(111) and TiO2. These surfaces represent the different surface compositions encountered during TTIP mediated TiO2 chemical vapor deposition on Si(111). The surface chemistry of the titanium(IV) isopropoxide precursor and the film growth have been explored by core level photoelectron spectroscopy and x-ray absorption spectroscopy using synchrotron radiation. The resulting film morphology has been imaged with scanning tunneling microscopy. The growth rate depends on both surface temperature and surface composition. The behavior can be rationalized in terms of the surface stability of isopropoxy and isopropyl groups, confirming that growth at 573 K is a reaction limited process. (C) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Atom- och molekylfysik och optik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Atom and Molecular Physics and Optics (hsv//eng)
Nyckelord
- Chemical vapor deposition
- Synchrotron radiation photoelectron
- spectroscopy
- X-ray absorption spectroscopy
- Scanning tunneling
- microscopy
- Growth
- Titanium dioxide
- Low index single crystal
- surfaces
- Crystalline-amorphous interfaces
- Chemical vapor deposition
- NATURAL SCIENCES
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas