Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:0682178e-aace-4b87-9844-e5e7f8a75497" >
Influence of initia...
Influence of initial GaAs and AlAs cap layers on InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
-
- Ferdos, Fariba, 1966 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Wei, Yongqiang, 1975 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Sadeghi, Mahdad, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Zhao, Qing Xiang, 1962 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Larsson, Anders, 1957 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2003
- 2003
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - 0022-0248. ; 251:1-4, s. 145-9
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Capping of InAs quantum dots (QDs) with AlAs or GaAs causes a significant change in the structural properties of the QDs. However, there is a basic difference between these two capping materials. The GaAs capping causes a dramatic reduction of the dot density and height. AlAs capping, on the other hand, results in a partly suppressed height reduction and a higher dot density.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- aluminium compounds
- indium compounds
- semiconductor quantum dots
- III-V semiconductors
- semiconductor epitaxial layers
- molecular beam epitaxial growth
- semiconductor growth
- gallium arsenide
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Ferdos, Fariba, ...
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
Wei, Yongqiang, ...
-
Sadeghi, Mahdad, ...
-
Zhao, Qing Xiang ...
-
Larsson, Anders, ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Telekommunikatio ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Cryst ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola