Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:34326c2b-c5ac-41a1-97c1-e26c389426ad" >
Sodium enhanced oxi...
-
Hermannsson, P.G.Háskóli Íslands,University of Iceland
(författare)
Sodium enhanced oxidation: Absence of shallow interface traps after removal of sodium ions from the SiO2/4H-SiC interface
- Artikel/kapitelEngelska2013
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:34326c2b-c5ac-41a1-97c1-e26c389426ad
-
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.749DOI
-
https://research.chalmers.se/publication/216028URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Anmärkningar
-
We investigate the strong passivation of shallow interface traps located near the SiC conduction band after enhanced oxidation of Si-face 4H-SiC in the presence of sodium. We find that removing the sodium ions present at the SiO2/SiC interface since oxidation by way of bias stress or annealing does not lead to a significant increase in the density of interface traps. The presence of sodium ions at the SiO2/SiC interface is therefore not responsible for the passivation of such interface traps in oxides formed by sodium enhanced oxidation.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Allerstam, Fredrik,1978Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)e7fral
(författare)
-
Hauksson, S.Háskóli Íslands,University of Iceland
(författare)
-
Sveinbjornsson, E. O.Háskóli Íslands,University of Iceland
(författare)
-
Háskóli ÍslandsChalmers tekniska högskola
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Materials Science Forum740-742, s. 749-7521662-97520255-5476
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas