SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:3faabbd1-2300-405d-96b2-8f8d8ec76f46"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:3faabbd1-2300-405d-96b2-8f8d8ec76f46" > A class-J power amp...

A class-J power amplifier with varactor-based dynamic load modulation across a large bandwidth

Hallberg, William, 1988 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Gustafsson, David, 1983 (författare)
Telefonaktiebolaget L M Ericsson,Ericsson
ÖZEN, MUSTAFA, 1984 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa fler...
Andersson, Christer, 1982 (författare)
Mitsubishi Electric Corporation
Kuylenstierna, Dan, 1976 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Fager, Christian, 1974 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa färre...
 (creator_code:org_t)
ISBN 9781479982752
2015
2015
Engelska.
Ingår i: 2015 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2015. - 9781479982752
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • A novel class-J operated power amplifier (PA) utilizing varactor-based dynamic load modulation is presented. It is theoretically shown that the proposed PA can maintain high average efficiency across more than 35% RF bandwidth by means of a purely reactive load modulation after the transistor output capacitance. The theory is experimentally verified by a 15 W GaN HEMT PA operating from 1.80 to 2.20 GHz, using SiC varactors as dynamically tunable load elements. In the band, the PA presents a power added efficiency (PAE) higher than 39% at 6 dB output power back-off. For a 3.84 MHz W-CDMA signal with 6.7 dB peak to average power ratio, an average PAE higher than 39% and an adjacent channel leakage ratio below -45.8 dBc are obtained across the entire band after linearization.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

power amplifiers
wideband
Energy efficiency
silicon carbide (SiC)
varactors
gallium nitride (GaN)

Publikations- och innehållstyp

kon (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy