Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:5804a7b4-657c-4a60-8136-948b6eca9e3f" >
On the nature of th...
-
Mitrovic, I. Z.University of Liverpool
(författare)
On the nature of the interfacial layer in ultra-thin TiN/LaluO3 gate stacks
- Artikel/kapitelEngelska2012
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
AIP Publishing,2012
-
electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:5804a7b4-657c-4a60-8136-948b6eca9e3f
-
https://doi.org/10.1063/1.4746790DOI
-
https://research.chalmers.se/publication/162581URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Anmärkningar
-
We present a detailed investigation on the nature of the interfacial layer (IL) in ultra-thin TiN/LaLuO3 (LLO) gate stacks, which is of importance to facilitate CMOS scaling. The molecular beam deposited LaLuO3 films are found to be amorphous by high-resolution transmission electron microscopy. A similar to 9 angstrom thick LaLuO3/interlayer transition observed by medium energy ion scattering correlates with the presence of a dual silicate/SiO2-like interfacial layer derived from the analysis of photoelectron line positions and electron energy loss spectra. A theoretical model is used for the dielectric transition in a bi-layer LaLuO3/IL structure, linking physical and electrical characterization data. The obtained leakage current of 10(-3) A/cm(2) at 1.5 V and equivalent oxide thickness of 0.75 nm for TiN/LaLuO3 gate stacks are adequate for scaling in the 14-12 nm node.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Hall, S.University of Liverpool
(författare)
-
Sedghi, N.University of Liverpool
(författare)
-
Simutis, G.University of Liverpool
(författare)
-
Dhanak, V. R.University of Liverpool
(författare)
-
Bailey, P.Daresbury Laboratory
(författare)
-
Noakes, T. Q. C.Daresbury Laboratory
(författare)
-
Alexandrou, I.
(författare)
-
Engström, Olof,1943Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)oleng
(författare)
-
Lopes, J. M. J.Forschungszentrum Jülich GmbH
(författare)
-
Schubert, J.Forschungszentrum Jülich GmbH
(författare)
-
University of LiverpoolDaresbury Laboratory
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Journal of Applied Physics: AIP Publishing112:4, s. 044102-0021-89791089-7550
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Mitrovic, I. Z.
-
Hall, S.
-
Sedghi, N.
-
Simutis, G.
-
Dhanak, V. R.
-
Bailey, P.
-
visa fler...
-
Noakes, T. Q. C.
-
Alexandrou, I.
-
Engström, Olof, ...
-
Lopes, J. M. J.
-
Schubert, J.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Appli ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola