SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:5804a7b4-657c-4a60-8136-948b6eca9e3f"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:5804a7b4-657c-4a60-8136-948b6eca9e3f" > On the nature of th...

  • Mitrovic, I. Z.University of Liverpool (författare)

On the nature of the interfacial layer in ultra-thin TiN/LaluO3 gate stacks

  • Artikel/kapitelEngelska2012

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • AIP Publishing,2012
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:5804a7b4-657c-4a60-8136-948b6eca9e3f
  • https://doi.org/10.1063/1.4746790DOI
  • https://research.chalmers.se/publication/162581URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype
  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype

Anmärkningar

  • We present a detailed investigation on the nature of the interfacial layer (IL) in ultra-thin TiN/LaLuO3 (LLO) gate stacks, which is of importance to facilitate CMOS scaling. The molecular beam deposited LaLuO3 films are found to be amorphous by high-resolution transmission electron microscopy. A similar to 9 angstrom thick LaLuO3/interlayer transition observed by medium energy ion scattering correlates with the presence of a dual silicate/SiO2-like interfacial layer derived from the analysis of photoelectron line positions and electron energy loss spectra. A theoretical model is used for the dielectric transition in a bi-layer LaLuO3/IL structure, linking physical and electrical characterization data. The obtained leakage current of 10(-3) A/cm(2) at 1.5 V and equivalent oxide thickness of 0.75 nm for TiN/LaLuO3 gate stacks are adequate for scaling in the 14-12 nm node.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Hall, S.University of Liverpool (författare)
  • Sedghi, N.University of Liverpool (författare)
  • Simutis, G.University of Liverpool (författare)
  • Dhanak, V. R.University of Liverpool (författare)
  • Bailey, P.Daresbury Laboratory (författare)
  • Noakes, T. Q. C.Daresbury Laboratory (författare)
  • Alexandrou, I. (författare)
  • Engström, Olof,1943Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)oleng (författare)
  • Lopes, J. M. J.Forschungszentrum Jülich GmbH (författare)
  • Schubert, J.Forschungszentrum Jülich GmbH (författare)
  • University of LiverpoolDaresbury Laboratory (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Journal of Applied Physics: AIP Publishing112:4, s. 044102-0021-89791089-7550

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy