Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:5923de65-4bce-42c4-84c8-1d14781c98f4" >
Direct Chemical Vap...
Direct Chemical Vapor Deposition of Large-Area Carbon Thin Films on Gallium Nitride for Transparent Electrodes: A First Attempt
-
- Sun, Jie, 1977 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Cole, M. T. (författare)
- University Of Cambridge
-
- Ahmad, S. Awais (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Bäcke, Olof, 1984 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Ive, Tommy, 1968 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Löffler, Markus, 1980 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Lindvall, Niclas, 1985 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Olsson, Eva, 1960 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Teo, K. B. K. (författare)
- Aixtron Limited
-
- Liu, Johan, 1960 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Larsson, Anders, 1957 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Yurgens, Avgust, 1959 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Haglund, Åsa, 1976 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012
- 2012
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 0894-6507 .- 1558-2345. ; 25:3, s. 494-501
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Direct formation of large-area carbon thin films on gallium nitride by chemical vapor deposition without metallic catalysts is demonstrated. A high flow of ammonia is used to stabilize the surface of the GaN (0001)/sapphire substrate during the deposition at 950 degrees C. Various characterization methods verify that the synthesized thin films are largely sp(2) bonded, macroscopically uniform, and electrically conducting. The carbon thin films possess optical transparencies comparable to that of exfoliated graphene. This paper offers a viable route toward the use of carbon-based materials for future transparent electrodes in III-nitride optoelectronics, such as GaN-based light emitting diodes and laser diodes.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- chemical vapour deposition
- ammonia
- transparent electrodes
- III-V semiconductors
- Chemical vapor deposition
- GaN
- graphene
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Sun, Jie, 1977
-
Cole, M. T.
-
Ahmad, S. Awais
-
Bäcke, Olof, 198 ...
-
Ive, Tommy, 1968
-
Löffler, Markus, ...
-
visa fler...
-
Lindvall, Niclas ...
-
Olsson, Eva, 196 ...
-
Teo, K. B. K.
-
Liu, Johan, 1960
-
Larsson, Anders, ...
-
Yurgens, Avgust, ...
-
Haglund, Åsa, 19 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
-
IEEE Transaction ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola