SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:6957e62a-3d38-4ba8-9f20-bec1d1ceea4d"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:6957e62a-3d38-4ba8-9f20-bec1d1ceea4d" > Assessment of VCSEL...

  • Baveja, P. P.Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,University of Rochester Institute of Optics (författare)

Assessment of VCSEL thermal rollover mechanisms from measurements and empirical modeling

  • Artikel/kapitelEngelska2011

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2011
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:6957e62a-3d38-4ba8-9f20-bec1d1ceea4d
  • https://doi.org/10.1364/OE.19.015490DOI
  • https://research.chalmers.se/publication/145958URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype
  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype

Anmärkningar

  • We use an empirical model together with experimental measurements for studying mechanisms contributing to thermal rollover in vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). The model is based on extraction of the temperature dependence of threshold current, internal quantum efficiency, internal optical loss, series resistance and thermal impedance from measurements of output power, voltage and lasing wavelength as a function of bias current over an ambient temperature range of 15-100 degrees C. We apply the model to an oxide-confined, 850-nm VCSEL, fabricated with a 9-mu m inner-aperture diameter and optimized for highspeed operation, and show for this specific device that power dissipation due to linear power dissipation (sum total of optical absorption, carrier thermalization, carrier leakage and spontaneous carrier recombination) exceeds power dissipation across the series resistance (quadratic power dissipation) at any ambient temperature and bias current. We further show that the dominant contributors to self-heating for this particular VCSEL are quadratic power dissipation, internal optical loss, and carrier leakage. A rapid reduction of the internal quantum efficiency at high bias currents (resulting in high temperatures) is identified as being the major cause of thermal rollover. Our method is applicable to any VCSEL and is useful for identifying the mechanisms limiting the thermal performance of the device and to formulate design strategies to ameliorate them.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Kögel, Benjamin,1979Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)kogel (författare)
  • Westbergh, Petter,1981Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)petwes (författare)
  • Gustavsson, Johan,1974Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)johangus (författare)
  • Haglund, Åsa,1976Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)gu95asha (författare)
  • Maywar, D. N.Rochester Institute of Technology (författare)
  • Agrawal, G. P.University of Rochester Institute of Optics (författare)
  • Larsson, Anders,1957Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)andersla (författare)
  • Chalmers tekniska högskolaUniversity of Rochester Institute of Optics (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Optics Express19:16, s. 15490-155051094-40871094-4087

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy