Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:7d4c31b3-45f5-4ba5-9ed9-e53d632ddc04" >
AlGaN/GaN high elec...
AlGaN/GaN high electron mobility transistors with intentionally doped GaN buffer using propane as carbon precursor
-
- Bergsten, Johan, 1988 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Li, X. (författare)
- Linköpings universitet,Linköping University
-
- Nilsson, Daniel (författare)
- Linköpings universitet,Linköping University
-
visa fler...
-
- Danielsson, O. (författare)
- Linköpings universitet,Linköping University
-
- Pedersen, H. (författare)
- Linköpings universitet,Linköping University
-
- Janzen, E. (författare)
- Linköpings universitet,Linköping University
-
- Forsberg, Urban (författare)
- Linköpings universitet,Linköping University
-
- Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2016-03-09
- 2016
- Engelska.
-
Ingår i: Japanese Journal of Applied Physics. - : IOP Publishing. - 1347-4065 .- 0021-4922. ; 55:5
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.7...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) fabricated on a heterostructure grown by metalorganic chemical vapor deposition using an alternative method of carbon (C) doping the buffer are characterized. C-doping is achieved by using propane as precursor, as compared to tuning the growth process parameters to control C-incorporation from the gallium precursor. This approach allows for optimization of the GaN growth conditions without compromising material quality to achieve semi-insulating properties. The HEMTs are evaluated in terms of isolation and dispersion. Good isolation with OFF-state currents of 2 x 10(-6)A/mu m, breakdown fields of 70V/mu m, and low drain induced barrier lowering of 0.13mV/V are found. Dispersive effects are examined using pulsed current-voltage measurements. Current collapse and knee walkout effects limit the maximum output power to 1.3W/mm. With further optimization of the C-doping profile and GaN material quality this method should offer a versatile approach to decrease dispersive effects in GaN HEMTs. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Bergsten, Johan, ...
-
Li, X.
-
Nilsson, Daniel
-
Danielsson, O.
-
Pedersen, H.
-
Janzen, E.
-
visa fler...
-
Forsberg, Urban
-
Rorsman, Niklas, ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
-
Japanese Journal ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola