Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:bdbbdf64-0eaf-499a-9290-c54a48409a1a" >
The performance lim...
The performance limits of epigraphene Hall sensors doped across the Dirac point
-
- He, Hans, 1989 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden
-
- Shetty, Naveen, 1988 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden
-
- Bauch, Thilo, 1972 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden
-
visa fler...
-
- Kubatkin, Sergey, 1959 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden
-
- Kaufmann, T. (författare)
- TDK Micronas GmbH, Germany
-
- Cornils, M. (författare)
- TDK Micronas GmbH, Germany
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Lara Avila, Samuel, 1983 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden; Natl Phys Lab, England
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2020
- 2020
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 116:22
- Relaterad länk:
-
https://research.cha... (primary) (free)
-
visa fler...
-
https://aip.scitatio...
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Epitaxial graphene on silicon carbide, or epigraphene, provides an excellent platform for Hall sensing devices in terms of both high electrical quality and scalability. However, the challenge in controlling its carrier density has thus far prevented systematic studies of epigraphene Hall sensor performance. In this work, we investigate epigraphene Hall sensors where epigraphene is doped across the Dirac point using molecular doping. Depending on the carrier density, molecular-doped epigraphene Hall sensors reach room temperature sensitivities of S-V=0.23V/(VT) and S-I=1440V/(AT), with magnetic field detection limits down to B-MIN=27 nT/root Hz at 20kHz. Thermally stabilized devices demonstrate operation up to 150 degrees C with S-V=0.12V/(VT), S-I=300V/(AT), and B-MIN similar to 100 nT/root Hz at 20kHz. Our work demonstrates that epigraphene doped close to the Dirac point could potentially outperform III-V Hall elements in the extended and military temperature ranges.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Annan fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Other Physics Topics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
He, Hans, 1989
-
Shetty, Naveen, ...
-
Bauch, Thilo, 19 ...
-
Kubatkin, Sergey ...
-
Kaufmann, T.
-
Cornils, M.
-
visa fler...
-
Yakimova, Rosits ...
-
Lara Avila, Samu ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Annan fysik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola
-
Linköpings universitet