onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:bf223cfe-58f7-4dc9-a454-e60acb7cb123"
Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:bf223cfe-58f7-4dc9-a454-e60acb7cb123" > Electrical properti...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Khosa, Rabia Y.Háskóli Íslands,University of Iceland,Univ Iceland, Iceland; Univ Educ Lahore, Pakistan (författare)
Electrical properties of 4H-SiC MIS capacitors with AlN gate dielectric grown by MOCVD
- Artikel/kapitelEngelska2019
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- Elsevier BV,2019
- electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:bf223cfe-58f7-4dc9-a454-e60acb7cb123
- https://research.chalmers.se/publication/507703URI
- https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.12.016DOI
- https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-154543URI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
- Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Anmärkningar
- Funding Agencies|Icelandic Research Fund; Swedish Foundation for Strategic Research (SSF); Knut and Alice Wallenberg Foundation (KAW)
- We report on the electrical properties of the AlN/4H-SiC interface using capacitance- and conductance-voltage (CV and GV) analysis of AlN/SiC MIS capacitors. The crystalline AlN layers are made by hot wall MOCVD. CV analysis at room temperature reveals an order of magnitude lower density of interface traps at the AlN/SiC interface than at nitrided SiO2/SiC interfaces. Electron trapping in bulk traps within the AlN is significant when the MIS capacitors are biased into accumulation resulting in a large flatband voltage shift towards higher gate voltage. This process is reversible and the electrons are fully released from the AlN layer if depletion bias is applied at elevated temperatures. Current-voltage (IV) analysis reveals that the breakdown electric field intensity across the AlN dielectric is 3–4 MV/cm and is limited by trap assisted leakage. By depositing an additional SiO2 layer on top of the AlN layer, it is possible to increase the breakdown voltage of the MIS capacitors significantly without having much impact on the quality of the AlN/SiC interface.
Ämnesord och genrebeteckningar
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Materialteknik Annan materialteknik hsv//swe
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY Materials Engineering Other Materials Engineering hsv//eng
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Elektroteknik och elektronik Annan elektroteknik och elektronik hsv//swe
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering hsv//eng
- NATURVETENSKAP Fysik Den kondenserade materiens fysik hsv//swe
- NATURAL SCIENCES Physical Sciences Condensed Matter Physics hsv//eng
- Gate dielectrics
- MIS capacitors
- AlN/4H-SiC interface
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Chen, Jr-TaiLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)jrtch43 (författare)
- Pálsson, K.Háskóli Íslands,University of Iceland,Univ Iceland, Iceland (författare)
- Karhu, RobinLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)robka36 (författare)
- Ul-Hassan, JawadLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)jawul47 (författare)
- Rorsman, Niklas,1964Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden(Swepub:cth)rorsman (författare)
- Sveinbjörnsson, EinarLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Univ Iceland, Iceland(Swepub:liu)einsv16 (författare)
- Háskóli ÍslandsUniv Iceland, Iceland; Univ Educ Lahore, Pakistan (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:Solid-State Electronics: Elsevier BV153, s. 52-580038-11011879-2405
Internetlänk
- https://research.chalmers.se/publication/507703/file/507703_Fulltext.pdfFULLTEXT
- https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.12.016
- https://liu.diva-portal.org/smash/get/diva2:1290529/FULLTEXT01.pdffulltext:print
- https://research.chalmers.se/publication/507703
- https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.12.016
- https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-154543
Hitta via bibliotek
- Solid-State Electronics (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Khosa, Rabia Y.
- Chen, Jr-Tai
- Pálsson, K.
- Karhu, Robin
- Ul-Hassan, Jawad
- Rorsman, Niklas, ...
- visa fler...
- Sveinbjörnsson, ...
- visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Materialteknik
- och Annan materialte ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Elektroteknik oc ...
- och Annan elektrotek ...
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- Solid-State Elec ...
- Av lärosätet
- Chalmers tekniska högskola
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
