Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:cb279bc9-a1ee-46ed-bf18-f3ad03ba48f9" >
Two-finger InP HEMT...
Two-finger InP HEMT design for stable cryogenic operation of ultra-low-noise Ka-band LNAs
-
- Cha, Eunjung, 1985 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
Moschetti, Giuseppe, 1982 (författare)
-
Wadefalk, Niklas, 1973 (författare)
-
visa fler...
-
- Nilsson, Per-Åke, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Bevilacqua, Stella, 1981 (författare)
- SP Sveriges Tekniska Forskningsinstitut AB
-
Pourkabisrian, A. (författare)
-
- Starski, Piotr, 1947 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Grahn, Jan, 1962 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ISBN 9781509063604
- 2017
- 2017
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. - 0149-645X. - 9781509063604 ; , s. 168-171
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We have investigated the cryogenic stability of two-finger InP HEMTs aimed for Ka-band ultra-low noise amplifiers (LNAs). Unlike two-finger transistors with a large gate-width above 2 χ 50 μm, the transistors with a small gate-width exhibit unstable cryogenic behavior. The instability is suppressed by adding a source air-bridge. The stabilizing effect of the air-bridge is demonstrated both on device and circuit level. A three-stage 2440 GHz monolithic microwave integrated circuit (MMIC) LNA using a stabilized 100-nm HEMT technology is presented. The amplifier achieves a record noise temperature of 7 K at 25.6 GHz with an average noise of 10.6 K across the whole band at an ambient temperature of 5.5 K. The amplifier gain is 29 dB ± 0.6 dB exhibiting very stable and repeatable operation. To our knowledge, this amplifier presents the lowest noise temperature reported so far for InP cryogenic LNAs covering the Ka-band.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Wideband
- Stability
- MMICs
- Low-noise amplifiers
- Cryogenic
- HEMTs
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Cha, Eunjung, 19 ...
-
Moschetti, Giuse ...
-
Wadefalk, Niklas ...
-
Nilsson, Per-Åke ...
-
Bevilacqua, Stel ...
-
Pourkabisrian, A ...
-
visa fler...
-
Starski, Piotr, ...
-
Grahn, Jan, 1962
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
-
IEEE MTT-S Inter ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola