SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:e571b9c8-26e5-415d-a9ef-f4f117ccc08a"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:e571b9c8-26e5-415d-a9ef-f4f117ccc08a" > Noise Properties of...

  • Trabaldo, Edoardo,1990Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology (författare)

Noise Properties of YBCO Nanostructures

  • Artikel/kapitelEngelska2017

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE),2017

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:e571b9c8-26e5-415d-a9ef-f4f117ccc08a
  • https://doi.org/10.1109/tasc.2017.2660306DOI
  • https://research.chalmers.se/publication/248734URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype
  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype

Anmärkningar

  • Voltage noise measurements on close to optimally doped YBa2Cu3O7-delta nanostructures have been performed. The measured resistance noise at temperature T = 96 K (above critical temperature T-C = 85 K) shows a quadratic dependence on the bias current, e.g., the voltage power spectral density S-V alpha V-2. Moreover, the normalized voltage noise S-V/V-2 is inversely proportional to the device volume. This is a clear indication that the noise is the result of an ensemble of independent resistive fluctuators, evenly distributed within the sample volume. For our structures, we obtain a product S-V/V-2 x Vol. = const. approximate to 6 x 10-(33) m(3)/Hz resulting in a Hooge's parameter 3.4 x 10(-4), which is among the lowest reported in literature. At lower temperature, T = 2 K (well below TC) the total voltage fluctuations are given by the combined effect of critical current fluctuations and resistance fluctuations. For the critical current noise, we obtain a product S-I/IC2 x Vol. = const. approximate to 6x10(-32) m(3)/Hz. The larger value of the relative critical current noise is most probably due to the fact that the critical current is determined by edge effects whereas the resistance is given by the total volume of the device.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Arzeo, Marco,1986Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)arzeo (författare)
  • Arpaia, Riccardo,1985Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)arpaia (författare)
  • Baghdadi, Reza,1984Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)baghdadi (författare)
  • Andersson, Eric,1992Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)ericand (författare)
  • Lombardi, Floriana,1967Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)lombardi (författare)
  • Bauch, Thilo,1972Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)bauch (författare)
  • Chalmers tekniska högskola (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:IEEE Transactions on Applied Superconductivity: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)27:41558-25151051-8223

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy