Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:f143ff71-3843-4f2e-9757-9e40ac0cb75e" >
A versatile low-res...
A versatile low-resistance ohmic contact process with ohmic recess and low-temperature annealing for GaN HEMTs
-
- Lin, Yen-Ku (författare)
- National Chiao Tung University,Natl Chiao Tung Univ, Taiwan
-
- Bergsten, Johan, 1988 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden
-
- Leong, Hector (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska fakulteten
-
visa fler...
-
- Malmros, Anna, 1977 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden
-
- Chen, Jr-Tai (författare)
- SweGaN AB, Tekn Ringen 8D, SE-58330 Linkoping, Sweden
-
- Ding Yuan, Chen, 1991 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden; SweGaN AB, Tekn Ringen 8D, SE-58330 Linkoping, Sweden
-
- Kordina, Olof (författare)
- SweGaN AB, Tekn Ringen 8D, SE-58330 Linkoping, Sweden
-
- Zirath, Herbert, 1955 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden
-
- Chang, Edward Yi (författare)
- National Chiao Tung University,Natl Chiao Tung Univ, Taiwan; Natl Chiao Tung Univ, Taiwan; Natl Chiao Tung Univ, Taiwan
-
- Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2018-08-21
- 2018
- Engelska.
-
Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 1361-6641 .- 0268-1242. ; 33:9
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Deeply recessed ohmic contacts for GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) are demonstrated. It is shown that low-resistance ohmic contacts can be achieved with recessing beyond the AlGaN Schottky barrier where the ohmic contacts are formed on the sidewall of the recess. This makes the process versatile and relatively insensitive to the exact recess depth. The ohmic contact is based on a gold-free metallization scheme consisting of a Ta/Al/Ta metal stack requiring a low-temperature annealing. Important parameters for this type of ohmic contact process include the metal coverage, slope of the etched sidewall, bottom Ta-layer thickness, as well as annealing temperature and duration. The optimized contact resistance is as low as 0.24 Omega mm after annealing at 575 degrees C. Moreover, this sidewall contact approach was successfully implemented on different epitaxial heterostructures with different AlGaN barrier thickness as well as with and without AlN exclusion layer. All the samples exhibited excellent contact resistances in a wide range of recess depths. The Ta-based, sidewall ohmic contact process is a promising method for forming an ohmic contact on a wide range of GaN HEMT epitaxial designs.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Maskinteknik -- Tribologi (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Mechanical Engineering -- Tribology (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Bearbetnings-, yt- och fogningsteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Manufacturing, Surface and Joining Technology (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Annan materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Other Materials Engineering (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- sidewall contact
- HEMT
- ohmic recess
- contact resistance
- gold-free
- GaN
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Lin, Yen-Ku
-
Bergsten, Johan, ...
-
Leong, Hector
-
Malmros, Anna, 1 ...
-
Chen, Jr-Tai
-
Ding Yuan, Chen, ...
-
visa fler...
-
Kordina, Olof
-
Zirath, Herbert, ...
-
Chang, Edward Yi
-
Rorsman, Niklas, ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Maskinteknik
-
och Tribologi
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
och Bearbetnings yt ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
och Annan materialte ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Telekommunikatio ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Semiconductor Sc ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola
-
Linköpings universitet