SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Thölen M.) "

Sökning: WFRF:(Thölen M.)

  • Resultat 1-2 av 2
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  • Jacob, A P, et al. (författare)
  • Cryogenic performance of ultrathin oxide MOS capacitors with in situ doped p(+) poly-Si1-xGex and poly-Si gate materials
  • 2002
  • Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : Iop Publishing Ltd. - 0268-1242 .- 1361-6641. ; 17:9, s. 942-946
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • A low-temperature electrical characterization of ultrathin oxide MOS capacitors with p(+) poly-Si1-xGex and poly-Si gate is performed. The investigated structures are suitable for future nano-scaled high speed MOSFETs. The aim of this study is to compare the low-temperature performance of poly-Si1-xGex and poly-Si gate MOS structures in the nanoscale channel length regime. Apart from the significant change in the flat band voltage, the result shows that all the poly-Si and poly-Si1-xGex gated MOS structures exhibit two centres of polarity change (zero-temperature coefficients) in capacitance. The second polarity change leads to an exclusive phenomenon in these structures. The low-temperature capacitance is found to be less than high-temperature capacitance at strong accumulation and this is in contrast to what has been observed so far in metal-gated capacitors. It is also observed that the temperature dependence of the tunnelling current is only on the oxide thickness and not on the gate material used.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-2 av 2

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy