SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "L773:1930 8876 OR L773:9781479943784 srt2:(1993-1994)"

Sökning: L773:1930 8876 OR L773:9781479943784 > (1993-1994)

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Rorsman, Niklas, 1964, et al. (författare)
  • Characterization of InAlAs/InGaAs HFETs with high indium content in the channel grown on GaAs substrate
  • 1993
  • Ingår i: 23rd European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1993. - 1930-8876. - 9782863321355 ; , s. 765-768
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • InAlAs/InGaAs HFETs having very high indium content (80 and 100%) in the channel have been fabricated on GaAs and electrically characterized. The extrinsic transconductance were 310 mS/mm (560 mS/mm at 77 K), and the saturation current were 700 mA/mm (600 mA/mm at 77 K) for an InAs channel. The value of fT and fmaxfor this device were measured to be 80 GHz and 50 GHz, respectively. The In0.8Ga 0.2As channel material had extrinsic transconductance of 320 mS/mm (470 mS/mm at 77 K), and the saturation current were 520 mA/mm (440 mA/mm at 77K). The value of fT and fmaxfor this device were measured to be 80 GHz and 50 GHz, respectively
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
konferensbidrag (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Zirath, Herbert, 195 ... (1)
Wang, Shu Min, 1963 (1)
Andersson, Thorvald, ... (1)
Rorsman, Niklas, 196 ... (1)
Karlsson, Christer, ... (1)
Lärosäte
Chalmers tekniska högskola (1)
Språk
Engelska (1)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (1)
År
1993 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy