SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-238393" "

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-238393"

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Ekström, Mattias, et al. (författare)
  • Low temperature Ni-Al ohmic contacts to p-TYPE 4H-SiC using semi-salicide processing
  • 2018
  • Ingår i: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017. - : Trans Tech Publications. - 9783035711455 ; , s. 389-392
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • Most semiconductor devices require low-resistance ohmic contact to p-type doped regions. In this work, we present a semi-salicide process that forms low-resistance contacts (~10-4 Ω cm2) to epitaxially grown p-type (>5×1018 cm-3) 4H-SiC at temperatures as low as 600 °C using rapid thermal processing (RTP). The first step is to self-align the nickel silicide (Ni2Si) at 600 °C. The second step is to deposit aluminium on top of the silicide, pattern it and then perform a second annealing step in the range 500 °C to 700 °C.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
konferensbidrag (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Östling, Mikael (1)
Elahipanah, Hossein (1)
Ekström, Mattias (1)
Zetterling, Carl-Mik ... (1)
Hou, Shuoben (1)
Salemi, Arash (1)
Lärosäte
Kungliga Tekniska Högskolan (1)
Språk
Engelska (1)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (1)
År
2018 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy