SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Minami M) srt2:(2010-2014)"

Sökning: WFRF:(Minami M) > (2010-2014)

  • Resultat 11-14 av 14
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
11.
  •  
12.
  •  
13.
  •  
14.
  • Kobayashi, M., et al. (författare)
  • 3C-SiC MOSFET with High Channel Mobility and CVD Gate Oxide
  • 2011
  • Ingår i: Materials Science Forum. - 0255-5476 .- 1662-9752. ; 679-680, s. 645-648
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • 3C-SiC MOSFET with 200 cm2/Vs channel mobility was fabricated. High performance device processes were adopted, including room temperature implantation with resist mask, polysilicon-metal gates, aluminium interconnects with titanium and titanium nitride and a specially developed activation anneal at 1600°C in Ar to get a smooth 3C-SiC surface and hence the expected high channel mobility. CVD deposited oxide with post oxidation annealing was investigated to reduce unwanted oxide charges and hence to get a better gate oxide integrity compared to thermally grown oxides. 3C-SiC MOSFETs with 600 V blocking voltage and 10 A drain current were fabricated using the improved processes described above. The MOSFETs assembled with TO-220 PKG indicated specific on-resistances of 5 to 7 mΩcm2.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 11-14 av 14

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy