Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:his-5188" >
Thermal diffusion o...
Thermal diffusion of Mn through GaAs overlayers on (Ga, Mn)As
-
- Adell, Johan, 1980 (författare)
- Chalmers University of Technology,Department of Applied Physics, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden
-
- Ulfat, Intikhab, 1966 (författare)
- Department of Applied Physics, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden / Department of Physics, University of Karachi, Karachi, Pakistan,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Ilver, Lars, 1949 (författare)
- Department of Applied Physics, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Sadowski, Janusz (författare)
- Lund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory,Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland / MAX-lab, Lund University, Lund, Sweden
-
- Karlsson, Krister (författare)
- Högskolan i Skövde,Institutionen för vård och natur,Forskningscentrum för Virtuella system,Fysik och matematik, Physics and Mathematics,University of Skövde
-
- Kanski, Janusz, 1946 (författare)
- Department of Applied Physics, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2011-02-03
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Physics. - : Institute of Physics Publishing (IOPP). - 0953-8984 .- 1361-648X. ; 23:8
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Thermally stimulated diffusion of Mn through thin layers of GaAs has been studied by x-ray photoemission. (Ga, Mn)As samples with 5 at% Mn were capped with 4, 6 and 8 monolayer (ML) GaAs, and Mn diffusing through the GaAs was trapped on the surface by means of amorphous As. It was found that the out-diffusion is completely suppressed for an 8 ML thick GaAs film. The short diffusion length is attributed to an electrostatic barrier formed at the (Ga, Mn)As/GaAs interface.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Natural sciences
- Naturvetenskap
- Fysik och matematik
- Physics and Mathematics
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Adell, Johan, 19 ...
-
Ulfat, Intikhab, ...
-
Ilver, Lars, 194 ...
-
Sadowski, Janusz
-
Karlsson, Kriste ...
-
Kanski, Janusz, ...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Physi ...
- Av lärosätet
-
Högskolan i Skövde
-
Chalmers tekniska högskola
-
Lunds universitet