Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-157429" >
Impact of gate-oxid...
Impact of gate-oxide breakdown of varying hardness on narrow and wide nFET's
- Artikel/kapitelEngelska2004
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-157429
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-157429URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20141212
-
The soft gate-oxide breakdown event is observed to have negligible impact on the intrinsic parameters of even a narrow nFET. However, during subsequent wear-out of the breakdown path a significant impact of gate-to-channel breakdowns on nFET characteristics is found. It is also shown that i) the effect of voltage stress on gate oxide and ii) apparent electrical effects have to be corrected for to properly understand the intrinsic nature of the breakdown.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
De Keersgieter, A.
(författare)
-
Mahmood, SalmanIMEC, Belgium(Swepub:kth)u17isu3m
(författare)
-
Degraeve, R.
(författare)
-
Groeseneken, G.
(författare)
-
IMEC, Belgium
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Annu Proc Reliab Phys Symp, s. 79-83
Internetlänk