Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-161088" >
Single-step synthes...
Single-step synthesis process of Ti3SiC2 ohmic contacts on 4H-SiC by sputter-deposition of Ti
-
- Fashandi, Hossein (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad sensorvetenskap,Tekniska högskolan
-
- Andersson, Mike (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad sensorvetenskap,Tekniska högskolan
-
- Eriksson, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad sensorvetenskap,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Lu, Jun (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Smedfors, Katarina (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),School of Information and Communication Technology, KTH, Stockholm, Sweden
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar,School of Information and Communication Technology, KTH, Stockholm, Sweden
-
- Lloyd Spetz, Anita (författare)
- Linköpings universitet,Tillämpad sensorvetenskap,Tekniska högskolan
-
- Eklund, Per (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2015
- 2015
- Engelska.
-
Ingår i: Scripta Materialia. - : Elsevier BV. - 1359-6462 .- 1872-8456. ; 99, s. 53-56
- Relaterad länk:
-
http://liu.diva-port...
-
visa fler...
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report a single-step procedure for growth of ohmic Ti3SiC2 on 4H-SiC by sputter-deposition of Ti at 960 degrees C, based on the Ti-SiC solid-state reaction during deposition. X-ray diffraction and electron microscopy show the growth of interfacial Ti3SiC2. The as-deposited contacts are ohmic, in contrast to multistep processes with deposition followed by rapid thermal annealing. This procedure also offers the possibility of direct synthesis of oxygen-barrier capping layers before exposure to air, potentially improving contact stability in high-temperature and high-power devices.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Silicon carbide
- MAX phase
- Physical vapor deposition
- High temperature
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas