Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-19508" >
Ultradeep, low-dama...
Ultradeep, low-damage dry etching of SiC
-
Cho, H. (författare)
-
Leerungnawarat, P. (författare)
-
Hays, D. C. (författare)
-
visa fler...
-
Pearton, S. J. (författare)
-
Chu, S. N. G. (författare)
-
Strong, R. M. (författare)
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Ren, F. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2000
- 2000
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 76:6, s. 739-741
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The Schottky barrier height (Phi(B)) and reverse breakdown voltage (V-B) of Au/n-SiC diodes were used to examine the effect of inductively coupled plasma SF6/O-2 discharges on the near-surface electrical properties of SiC. For low ion energies (less than or equal to 60 eV) in the discharge, there is minimal change in Phi(B) and V-B, but both parameters degrade at higher energies. Highly anisotropic features typical of through-wafer via holes were formed in SiC using an Al mask.
Nyckelord
- power devices
- nf3
- plasmas
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas