Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-211302" >
A Wafer-Scale Self-...
-
Elahipanah, Hossein,1982-KTH,Elektronik,Electronics
(författare)
A Wafer-Scale Self-Aligned Ni-Silicide (SALICIDE) Low-Ohmic Contact Technology on n-type 4H-SiC
- Artikel/kapitelEngelska2017
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
ECS,2017
-
electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-211302
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-211302URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20170731
-
A self-aligned nickel (Ni) silicide process for n-type Ohmic contacts on 4H-SiC is demonstrated and electrically verified in a wafer-scale device process. The key point is to anneal the contacts in two steps. The process is successfully employed on wafer-level and a contact resistivity below 5×10-6 Ω·cm2 is achieved. The influence of the proposed process on the oxide quality is investigated and no significant effect is observed. The proposed self-aligned technology eliminates the undesirable effects of the lift-off process. Moreover, it is simple, fast, and manufacturable at wafer-scale, which saves time and cost.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Asadollahi, AliKTH,Elektronik(Swepub:kth)u1vtio7s
(författare)
-
Ekström, MattiasKTH,Elektronik(Swepub:kth)u1l6zf9x
(författare)
-
Salemi, Arash,1976-KTH,Elektronik(Swepub:kth)u14aqahn
(författare)
-
Zetterling, Carl-MikaelKTH,Elektronik(Swepub:kth)u15o61ns
(författare)
-
Östling, MikaelKTH,Elektronik(Swepub:kth)u1u0kle4
(författare)
-
KTHElektronik
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:ECS Journal of Solid State Science and Technology: ECS6:4, s. 197-2002162-87692162-8777
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas