Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-45387" >
Determination of ni...
Determination of nitrogen in silicon carbide by secondary ion mass spectrometry
- Artikel/kapitelEngelska2004
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-45387
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-45387URI
-
https://doi.org/10.1023/B:JANC.0000018968.09670.88DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20111031
-
The emission of atomic and complex nitrogen ions, which are the main impurity determining the n type conduction of silicon carbide, is investigated. It is shown that, among all the secondary ions of the CxN and SixN kind (x = 0, 1, 2, 3), the (26)(CN)(-) fragment exhibits the highest ion yield. The use of an ion peak with a specified mass as an analytical signal provides a detection limit for nitrogen in SiC at a level of 10(16) cm(-3). This result is attained in measurements at high mass resolution (M/DeltaM = 7500, interference peak (26)(C-13(2))(-)).
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Kazantsev, D. Y.
(författare)
-
Kalinina, E. V.
(författare)
-
Kovarskii, A. P.
(författare)
-
Kossov, V. G.
(författare)
-
Hallén, AndersKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u11ywmz1
(författare)
-
Yafaev, R. R.
(författare)
-
KTHMikroelektronik och informationsteknik, IMIT
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Journal of Analytical Chemistry59:3, s. 250-2541061-93481608-3199
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas