Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50513" >
Interface defects i...
-
Hurley, P. K.
(författare)
Interface defects in HfO2, LaSiOx, and Gd2O3 high-k/metal-gate structures on silicon
- Artikel/kapitelEngelska2008
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
The Electrochemical Society,2008
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-50513
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-50513URI
-
https://doi.org/10.1149/1.2806172DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20120209
-
In this work, we present experimental results examining the energy distribution of the relatively high (> 1 X 10(11) cm(-2)) electrically active interface defects which are commonly observed in high-dielectric-constant (high-k) metal-insulator-silicon systems during high-k process development. This paper extends previous studies on the Si(100)/SiOx/HfO2 system to include a comparative analysis of the density and energy distribution of interface defects for HfO2, lanthanum silicate (LaSiOx), and Gd2O3 thin films on (100) orientation silicon formed by a range of deposition techniques. The analysis of the interface defect density across the energy gap, for samples which experience no H-2/N-2 annealing following the gate stack formation, reveals a peak density (similar to 2 X 10(12) cm(-2) eV(-1) to similar to 1 X 10(13) cm(-2) eV(-1)) at 0.83-0.92 eV above the silicon valence bandedge for the HfO2, LaSiOx, and Gd2O3 thin films on Si (100). The characteristic peak in the interface state density (0.83-0.92 eV) is obtained for samples where no interface silicon oxide layer is observed from transmission electron microscopy. Analysis suggests silicon dangling bond (P-bo) centers as the common origin for the dominant interface defects for the various Si(100)/SiOx/high-k/metal gate systems. The results of forming gas (H-2/N-2) annealing over the temperature range 350-555 degrees C are presented and indicate interface state density reduction, as expected for silicon dangling bond centers. The technological relevance of the results is discussed. (c) 2007 The Electrochemical Society.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Cherkaoui, K.
(författare)
-
O'Connor, E.
(författare)
-
Lemme, Max C.,1970-AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany(Swepub:kth)u1m2eozy
(författare)
-
Gottlob, H. D. B.
(författare)
-
Schmidt, M.
(författare)
-
Hall, S.
(författare)
-
Lu, Y.
(författare)
-
Buiu, O.
(författare)
-
Raeissi, B.
(författare)
-
Piscator, J.
(författare)
-
Engstrom, O.
(författare)
-
Newcomb, S. B.
(författare)
-
AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Journal of the Electrochemical Society: The Electrochemical Society155:2, s. G13-G200013-46511945-7111
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Hurley, P. K.
-
Cherkaoui, K.
-
O'Connor, E.
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
Gottlob, H. D. B ...
-
Schmidt, M.
-
visa fler...
-
Hall, S.
-
Lu, Y.
-
Buiu, O.
-
Raeissi, B.
-
Piscator, J.
-
Engstrom, O.
-
Newcomb, S. B.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Journal of the E ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan