Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50553" >
Approaches to CMOS ...
Approaches to CMOS integration of epitaxial gadolinium oxide high-K dielectrics
-
Gottlob, H. D. B. (författare)
-
Echtermeyer, T. (författare)
-
Mollenhauer, T. (författare)
-
visa fler...
-
Schmidt, M. (författare)
-
Efavi, J. K. (författare)
-
Wahlbrink, T. (författare)
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
Kurz, H. (författare)
-
Endres, R. (författare)
-
Stefanov, Y. (författare)
-
Schwalke, U. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: ESSDERC 2006. - 9781424403011 ; , s. 150-153
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Two process concepts for integration of novel gate stacks with epitaxial high-K dielectrics and metal gate electrodes are presented. A "gate first" process based on a planar gate stack on ultra thin SOI material has been used for successful fabrication of MOSFETs with TiN/Gd2O3 gate stack. Furthermore MOSFETs with W/Gd2O3 gate stack have been fabricated with a replacement gate process. This is the first successful attempt to integrate crystalline high-K dielectrics into a "gentle" damascene metal gate process in order to reduce process induced oxide damages.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Gottlob, H. D. B ...
-
Echtermeyer, T.
-
Mollenhauer, T.
-
Schmidt, M.
-
Efavi, J. K.
-
Wahlbrink, T.
-
visa fler...
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
Kurz, H.
-
Endres, R.
-
Stefanov, Y.
-
Schwalke, U.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
ESSDERC 2006
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan