Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-5283" >
Low-threshold, high...
Low-threshold, high-temperature operation of 1.2 mu m InGaAs vertical cavity lasers
-
- Salomonsson, Fredrik (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Asplund, Carl (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Sundgren, Petrus (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
visa fler...
-
- Plaine, Glenn Yves (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Mogg, Sebastian (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
Hammar, Mattias (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institution of Engineering and Technology (IET), 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Electronics Letters. - : Institution of Engineering and Technology (IET). - 0013-5194 .- 1350-911X. ; 37:15, s. 957-958
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The growth and characterisation of high performance InGaAs/GaAs quantum-well vertical cavity lasers with an emission wavelength of 1215 nm is reported. Continuous wave operation is demonstrated up to 105°C with a threshold current below 1 mA for T < 80°C. For a 2.5 μm device the room temperature threshold current, output power and slope efficiency is 0.6 mA, 0.6 mW and 0.2 W/A, respectively.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Continuous wave lasers
- Current density
- Fiber optics
- High temperature operations
- Metallorganic vapor phase epitaxy
- Mirrors
- Optical communication
- Photoluminescence
- Reflection
- Semiconducting indium gallium arsenide
- Semiconductor quantum wells
- Thermodynamic stability
- Physics
- Fysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas