Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-5284" >
1260 nm InGaAs vert...
1260 nm InGaAs vertical-cavity lasers
-
- Asplund, Carl (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Sundgren, Petrus (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Mogg, Sebastian (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
visa fler...
-
- Hammar, Mattias (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Christiansson, Ulf (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Oscarsson, V. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Runnström, C. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Odling, E. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Malmquist, J. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institution of Engineering and Technology (IET), 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Electronics Letters. - : Institution of Engineering and Technology (IET). - 0013-5194 .- 1350-911X. ; 38:13, s. 635-636
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The fabrication and performance of highly strained double-quantum well InGaAs/GaAs vertical-cavity lasers with record-long emission wavelength of 1260 nm at room temperature is reported. Depending on device diameter, the minimum threshold current is in the low mA-regime while the maximum output power exceeds 1 mW. The devices work continuous-wave over a wide temperature range of at least 10-120degrees C.
Nyckelord
- Continuous wave lasers; Electric currents; Integrated circuit layout; Laser tuning; Light emission; Metallorganic vapor phase epitaxy; Semiconducting indium gallium arsenide
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas