Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-7951" >
Schottky-barrier he...
-
Zhang, ZhenKTH,Integrerade komponenter och kretsar
(författare)
Schottky-barrier height tuning by means of ion implantation into preformed silicide films followed by drive-in anneal
- Artikel/kapitelEngelska2007
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-7951
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-7951URI
-
https://doi.org/10.1109/LED.2007.900295DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20100923
-
An experimental study on Schottky-barrier height (SBH) tuning using ion implantation followed by drive-in anneal of As, B, In, and P in preformed NiSi and PtSi films is presented. Measured on B-implanted NiSi and PtSi Schottky diodes, the effective SBH on n-type Si is altered to similar to 1.0 eV. For As- and P-implanted diodes, the SBH on p-type Si can be tuned to around 0.9 eV The process window for the most pronounced SBH modification is dopant dependent.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Qiu, ZhijunKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1wkv8xt
(författare)
-
Liu, RanState Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University
(författare)
-
Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1u0kle4
(författare)
-
Zhang, Shi-LiKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1a28qyq
(författare)
-
KTHIntegrerade komponenter och kretsar
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:IEEE Electron Device Letters28:7, s. 565-5680741-31061558-0563
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas