Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-84710" >
ANOMALOUS QUENCHING...
ANOMALOUS QUENCHING OF PHOTOEMISSION FROM BULK STATES BY DEPOSITION OF CS ON INAS(100)
- Artikel/kapitelEngelska1995
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-84710
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-84710URI
-
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.1470DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
NR 20140805
-
The effect of angle-resolved valence-hand photoelectron spectra from adsorption of small amounts of Cs on InAs(100)4 X 2 has been studied. It is shown that a bulk interband transition is totally quenched at a coverage of Cs that leaves the 4 X 2 reconstruction practically intact. The surface order was monitored by low-energy electron diffraction and photoemission from surface states. A shift of the surface Fermi level to well above the conduction-band minimum is also observed. It is proposed that the resulting development of a two-dimensional electron gas at the surface affects the bulk states probed in photoemission.
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
ILVER, L
(författare)
-
KANSKI, J
(författare)
-
NILSSON, PO
(författare)
-
KOWALSKI, BJ
(författare)
-
HAKANSSON, MC
(författare)
-
KARLSSON, Ulf OKTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),Materialfysik
(författare)
-
KTHSkolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Physical Review B Condensed Matter52:3, s. 1470-14730163-18291095-3795
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas