Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-89312" >
GaAs/AlGaAs buried-...
GaAs/AlGaAs buried-heterostructure laser diodes with semi-insulating GaInP:Fe regrowth
-
- Angulo Barrios, C. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Lourdudoss, Sebastian, 1953- (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
Messmer, L. R. (författare)
-
visa fler...
-
Holmgren, M. (författare)
-
Lovqvist, A. (författare)
-
Carlsson, C. (författare)
-
Larsson, A. (författare)
-
Halonen, J. (författare)
-
Ghisoni, M. (författare)
-
- Stevens, Renaud, 1972- (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT,Photonics
-
- Schatz, Richard, 1963- (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT,Photonics
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: Lasers and Electro-Optics, 2001. CLEO/Pacific Rim 2001. The 4th Pacific Rim Conference on.
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- GaAs/AlGaAs buried-heterostructure in-plane lasers and vertical-cavity surface-emitting lasers using GaInP:Fe as the burying layer have been fabricated and investigated. Regrowth of GaInP:Fe around etched laser mesas was achieved by hydride vapor phase epitaxy. The lasers exhibit good performance under CW operation and show promising high-speed characteristics.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Atom- och molekylfysik och optik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Atom and Molecular Physics and Optics (hsv//eng)
Nyckelord
- 850 nm; CW operation; GaAs-AlGaAs; GaAs/AlGaAs buried-heterostructure laser diodes; GaInP:Fe; GaInP:Fe burying layer; etched laser mesas; high-speed characteristics; hydride vapor phase epitaxy; in-plane lasers; performance; regrowth; semi-insulating GaInP:Fe regrowth; vertical-cavity surface-emitting lasers; III-V semiconductors; MOCVD; aluminium compounds; gallium arsenide; gallium compounds; indium compounds; iron; optical fabrication; semiconductor growth; semiconductor lasers; surface emitting lasers; vapour phase epitaxial growth
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Angulo Barrios, ...
-
Lourdudoss, Seba ...
-
Messmer, L. R.
-
Holmgren, M.
-
Lovqvist, A.
-
Carlsson, C.
-
visa fler...
-
Larsson, A.
-
Halonen, J.
-
Ghisoni, M.
-
Stevens, Renaud, ...
-
Schatz, Richard, ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Telekommunikatio ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Atom och molekyl ...
- Artiklar i publikationen
- Lasers and Elect ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan