Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-106083" >
Optical investigati...
Optical investigation of 3C-SiC hetero-epitaxial layers grown by sublimation epitaxy under gas atmosphere
-
- Kwasnicki, Pawel (författare)
- CNRS, L2C UMR 5221, F-34095, Montpellier, France
-
- Jokubavicius, Valdas (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Sun, Jianwu (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Peyre, H. (författare)
- Université Montpellier 2, L2C UMR 5221, F-34095, Montpellier, France
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Camasse, J. (författare)
- CNRS, L2C UMR 5221, F-34095, Montpellier, France
-
- Juillaguet, S. (författare)
- Université Montpellier 2, L2C UMR 5221, F-34095, Montpellier, France
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications Inc. 2014
- 2014
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum. - : Trans Tech Publications Inc.. - 0255-5476 .- 1662-9752. ; 778-780, s. 243-246
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We investigated three 3C-SiC samples grown on 6H SiC substrate by sublimation epitaxy under gas atmosphere. We focus on the low temperature photoluminescence and Raman measurements to show that compare to a growth process under vacuum atmosphere, the gas atmosphere favor the incorporation of impurities at already existing and/or newly created defect sites.
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas