SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-117133"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-117133" > Room-Temperature mo...

LIBRIS Formathandbok  (Information om MARC21)
FältnamnIndikatorerMetadata
00003101naa a2200385 4500
001oai:DiVA.org:liu-117133
003SwePub
008150417s2015 | |||||||||||000 ||eng|
0247 a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-1171332 URI
0247 a https://doi.org/10.1063/1.49228772 DOI
040 a (SwePub)liu
041 a engb eng
042 9 SwePub
072 7a ref2 swepub-contenttype
072 7a art2 swepub-publicationtype
1001 a Chen, Jr-Taiu Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)jrtch43
2451 0a Room-Temperature mobility above 2200 cm2/V.s of two-dimensional electron gas in a sharp-interface AlGaN/GaN heterostructure
264 1b American Institute of Physics (AIP),c 2015
338 a electronic2 rdacarrier
520 a A high mobility of 2250 cm2/V·s of a two-dimensional electron gas (2DEG) in a metalorganic chemical vapor deposition-grown AlGaN/GaN heterostructure was demonstrated. The mobility enhancement was a result of better electron confinement due to a sharp AlGaN/GaN interface, as confirmed by scanning transmission electron microscopy analysis, not owing to the formation of a traditional thin AlN exclusion layer. Moreover, we found that the electron mobility in the sharp-interface heterostructures can sustain above 2000 cm2/V·s for a wide range of 2DEG densities. Finally, it is promising that the sharp-interface AlGaN/GaN heterostructure would enable low contact resistance fabrication, less impurity-related scattering, and trapping than the AlGaN/AlN/GaN heterostructure, as the high-impurity-contained AlN is removed.
650 7a NATURVETENSKAPx Fysik0 (SwePub)1032 hsv//swe
650 7a NATURAL SCIENCESx Physical Sciences0 (SwePub)1032 hsv//eng
7001 a Persson, Ingemaru Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)ingpe67
7001 a Nilsson, Danielu Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)danni86
7001 a Hsu, Chih-Weiu Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)chihs22
7001 a Palisaitis, Justinasu Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten4 aut0 (Swepub:liu)juspa01
7001 a Forsberg, Urbanu Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)urbfo25
7001 a Persson, Peru Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)perpe25
7001 a Janzén, Eriku Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan4 aut0 (Swepub:liu)erija14
7102 a Linköpings universitetb Halvledarmaterial4 org
7730 t Applied Physics Lettersd : American Institute of Physics (AIP)g 106:25q 106:25x 0003-6951x 1077-3118
8564 u https://liu.diva-portal.org/smash/get/diva2:805915/FULLTEXT01.pdfx primaryx Raw objecty fulltext:print
8564 u http://liu.diva-portal.org/smash/get/diva2:805915/FULLTEXT01
8564 8u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-117133
8564 8u https://doi.org/10.1063/1.4922877

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy