Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:miun-39020" >
Study of silicon ni...
Study of silicon nitride inner spacer formation in process of gate-all-around nano-transistors
-
Li, J. (författare)
-
Li, Y. (författare)
-
Zhou, N. (författare)
-
visa fler...
-
Xiong, W. (författare)
-
Wang, G. (författare)
-
Zhang, Q. (författare)
-
Du, A. (författare)
-
Gao, J. (författare)
-
Kong, Z. (författare)
-
Lin, H. (författare)
-
Xiang, J. (författare)
-
Li, C. (författare)
-
Yin, X. (författare)
-
Wang, X. (författare)
-
Yang, H. (författare)
-
Ma, X. (författare)
-
Han, J. (författare)
-
Zhang, J. (författare)
-
Hu, T. (författare)
-
Cao, Z. (författare)
-
Yang, T. (författare)
-
Yin, H. (författare)
-
Zhu, H. (författare)
-
Luo, J. (författare)
-
Wang, W. (författare)
-
- Radamson, Henry H. (författare)
- Mittuniversitetet,Institutionen för elektronikkonstruktion,Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China;
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2020-04-20
- 2020
- Engelska.
-
Ingår i: Nanomaterials. - : MDPI AG. - 2079-4991. ; 10:4
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.3...
-
visa fler...
-
https://miun.diva-po... (primary) (Raw object)
-
https://www.mdpi.com...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.3...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Stacked SiGe/Si structures are widely used as the units for gate-all-around nanowire transistors (GAA NWTs) which are a promising candidate beyond fin field effective transistors (FinFETs) technologies in near future. These structures deal with a several challenges brought by the shrinking of device dimensions. The preparation of inner spacers is one of the most critical processes for GAA nano-scale transistors. This study focuses on two key processes: Inner spacer film conformal deposition and accurate etching. The results show that low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) silicon nitride has a good film filling effect; a precise and controllable silicon nitride inner spacer structure is prepared by using an inductively coupled plasma (ICP) tool and a new gas mixtures of CH2F2/CH4/O2/Ar. Silicon nitride inner spacer etch has a high etch selectivity ratio, exceeding 100:1 to Si and more than 30:1 to SiO2. High anisotropy with an excellent vertical/lateral etch ratio exceeding 80:1 is successfully demonstrated. It also provides a solution to the key process challenges of nano-transistors beyond 5 nm node. © 2020 by the authors. Licensee MDPI, Basel, Switzerland.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Field effect transistor
- Gate-all-around (GAA)
- High anisotropy
- High etch selectivity
- Inner spacer
- Nanosheet
- Nanostructure manufacture
- Nanowire
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Li, J.
-
Li, Y.
-
Zhou, N.
-
Xiong, W.
-
Wang, G.
-
Zhang, Q.
-
visa fler...
-
Du, A.
-
Gao, J.
-
Kong, Z.
-
Lin, H.
-
Xiang, J.
-
Li, C.
-
Yin, X.
-
Wang, X.
-
Yang, H.
-
Ma, X.
-
Han, J.
-
Zhang, J.
-
Hu, T.
-
Cao, Z.
-
Yang, T.
-
Yin, H.
-
Zhu, H.
-
Luo, J.
-
Wang, W.
-
Radamson, Henry ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Nanomaterials
- Av lärosätet
-
Mittuniversitetet