Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:uu-199727" >
Ultra-shallow junct...
Ultra-shallow junctions formed using microwave annealing
-
Xu, Peng (författare)
-
Fu, Chaochao (författare)
-
Hu, Cheng (författare)
-
visa fler...
-
Zhang, David Wei (författare)
-
Wu, Dongping (författare)
-
Luo, Jun (författare)
-
Zhao, Chao (författare)
-
- Zhang, Zhi-Bin (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 102:12, s. 122114-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Microwave annealing is shown to be viable for achieving low thermal budget formation of ultra-shallow junctions. Regrowth of a 10 nm thick amorphous Si layer that is generated during a Ge amorphization process prior to BF2 or As dopant implantation proceeds at rates up to 0.53 nm/min for BF2 and up to 0.33 nm/min for As at 370 degrees C. The fraction of electrical activation for implanted dopants is as high as 13% for BF2 and 32% for As with negligible diffusion at 540 degrees C.
Nyckelord
- Engineering Science with specialization in Electronics
- Teknisk fysik med inriktning mot elektronik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas