Sökning: onr:"swepub:oai:dalea.du.se:2685" >
ToF-SIMS depth prof...
ToF-SIMS depth profiling of (Ga,Mn)As capped with amorphous arsenic : effects of annealing time
-
- Bexell, Ulf (författare)
- Högskolan Dalarna,Materialvetenskap
-
Stanciu, V. (författare)
-
Warnicke, P. (författare)
-
visa fler...
-
Östh, M. (författare)
-
Svedlindh, P. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Surface Science. - : Elsevier BV. - 0169-4332 .- 1873-5584. ; 252:19, s. 7252-7254
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The influence of annealing time on an amorphous As cap layer and the depth distribution of Mn atoms have been investigated. The results show that a 1600 Å thick As cap layer is completely desorbed after 3 h of annealing time. The depth distributions of Mn indicate that interstitial Mn atoms have diffused to the outer surface and being passivated. The thickness of the Mn passivation layer was around 90 Å.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- ToF-SIMS; depth profiling; (Ga
- Mn)As; As cap; Mn diffusion
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas