SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:a7ca582f-9be5-4de9-9510-a696ef4d9705"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:a7ca582f-9be5-4de9-9510-a696ef4d9705" > Intracavity double ...

  • Tiira, JonnaAalto University (författare)

Intracavity double diode structures with GaInP barrier layers for thermophotonic cooling

  • Artikel/kapitelEngelska2017

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • SPIE,2017

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:a7ca582f-9be5-4de9-9510-a696ef4d9705
  • https://lup.lub.lu.se/record/a7ca582f-9be5-4de9-9510-a696ef4d9705URI
  • https://doi.org/10.1117/12.2250843DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype

Anmärkningar

  • Optical cooling of semiconductors has recently been demonstrated both for optically pumped CdS nanobelts and for electrically injected GaInAsSb LEDs at very low powers. To enable cooling at larger power and to understand and overcome the main obstacles in optical cooling of conventional semiconductor structures, we study thermophotonic (TPX) heat transport in cavity coupled light emitters. Our structures consist of a double heterojunction (DHJ) LED with a GaAs active layer and a corresponding DHJ or a p-n-homojunction photodiode, enclosed within a single semiconductor cavity to eliminate the light extraction challenges. Our presently studied double diode structures (DDS) use GaInP barriers around the GaAs active layer instead of the AlGaAs barriers used in our previous structures. We characterize our updated double diode structures by four point probe IV-measurements and measure how the material modifications affect the recombination parameters and coupling quantum efficiencies in the structures. The coupling quantum efficiency of the new devices with InGaP barrier layers is found to be approximately 10 % larger than for the structures with AlGaAs barriers at the point of maximum efficiency.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Radevici, IvanAalto University (författare)
  • Haggren, TuomasAalto University (författare)
  • Hakkarainen, TeemuTampere University of Technology (författare)
  • Kivisaari, PyryLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-pki (författare)
  • Lyytikäinen, JariTampere University of Technology (författare)
  • Aho, ArtoTampere University of Technology (författare)
  • Tukiainen, AnttiTampere University of Technology (författare)
  • Guina, MirceaTampere University of Technology (författare)
  • Oksanen, JaniAalto University (författare)
  • Aalto UniversityTampere University of Technology (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Optical and Electronic Cooling of Solids II: SPIE101219781510606838

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy