Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:5804a7b4-657c-4a60-8136-948b6eca9e3f" >
On the nature of th...
On the nature of the interfacial layer in ultra-thin TiN/LaluO3 gate stacks
-
- Mitrovic, I. Z. (författare)
- University of Liverpool
-
- Hall, S. (författare)
- University of Liverpool
-
- Sedghi, N. (författare)
- University of Liverpool
-
visa fler...
-
- Simutis, G. (författare)
- University of Liverpool
-
- Dhanak, V. R. (författare)
- University of Liverpool
-
- Bailey, P. (författare)
- Daresbury Laboratory
-
- Noakes, T. Q. C. (författare)
- Daresbury Laboratory
-
Alexandrou, I. (författare)
-
- Engström, Olof, 1943 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Lopes, J. M. J. (författare)
- Forschungszentrum Jülich GmbH
-
- Schubert, J. (författare)
- Forschungszentrum Jülich GmbH
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2012
- 2012
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 112:4, s. 044102-
- Relaterad länk:
-
http://publications.... (primary) (free)
-
visa fler...
-
http://juser.fz-juel...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We present a detailed investigation on the nature of the interfacial layer (IL) in ultra-thin TiN/LaLuO3 (LLO) gate stacks, which is of importance to facilitate CMOS scaling. The molecular beam deposited LaLuO3 films are found to be amorphous by high-resolution transmission electron microscopy. A similar to 9 angstrom thick LaLuO3/interlayer transition observed by medium energy ion scattering correlates with the presence of a dual silicate/SiO2-like interfacial layer derived from the analysis of photoelectron line positions and electron energy loss spectra. A theoretical model is used for the dielectric transition in a bi-layer LaLuO3/IL structure, linking physical and electrical characterization data. The obtained leakage current of 10(-3) A/cm(2) at 1.5 V and equivalent oxide thickness of 0.75 nm for TiN/LaLuO3 gate stacks are adequate for scaling in the 14-12 nm node.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- OXIDES
- FILMS
- DEPOSITION
- MOSFETS
- DIELECTRICS
- INTEGRATION
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Mitrovic, I. Z.
-
Hall, S.
-
Sedghi, N.
-
Simutis, G.
-
Dhanak, V. R.
-
Bailey, P.
-
visa fler...
-
Noakes, T. Q. C.
-
Alexandrou, I.
-
Engström, Olof, ...
-
Lopes, J. M. J.
-
Schubert, J.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Appli ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola