Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:7954eade-00e8-4d8e-b521-b6ebf2f8420c" >
Optical properties ...
Optical properties of InGaAsBi/GaAs strained quantum wells studied by temperature-dependent photoluminescence
-
- Gu, Yi (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhang, Yonggang (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Song, Yuxin, 1981 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Ye, Hong, 1987 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Cao, Yuanying (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Li, Aizhen (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2013-03-14
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: Chinese Physics B. - : IOP Publishing. - 1674-1056. ; 22:3, s. 037802-
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The effect of bismuth on the optical properties of InGaAsBi/GaAs quantum well structures is investigated using the temperature-dependent photoluminescence from 12 K to 450 K. The incorporation of bismuth in the InGaAsBi quantum well is confirmed and found to result in a red shift of photoluminescence wavelength of 27.3 meV at 300 K. The photoluminescence intensity is significantly enhanced by about 50 times at 12 K with respect to that of the InGaAs quantum well due to the surfactant effect of bismuth. The temperature-dependent integrated photoluminescence intensities of the two samples reveal different behaviors related to various non-radiative recombination processes. The incorporation of bismuth also induces alloy non-uniformity in the quantum well, leading to an increased photoluminescence linewidth.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- quantum well
- telecom
- MBE
- GaAsBi
- dilute bismide
- 1.3 mum
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Gu, Yi
-
Zhang, Yonggang
-
Song, Yuxin, 198 ...
-
Ye, Hong, 1987
-
Cao, Yuanying
-
Li, Aizhen
-
visa fler...
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Telekommunikatio ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Chinese Physics ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola