Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:8781db17-59d9-4843-9a4a-876d4fe3e089" >
Correlation between...
Correlation between Al grain size, grain boundary grooves and local variations in oxide barrier thickness of Al/AlOx/Al tunnel junctions by transmission electron microscopy
-
- Mousavi Nik, Samira, 1980 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Krantz, Philip, 1984 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Zeng, Lunjie, 1983 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Greibe, Tine, 1974 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Pettersson, Henrik, 1975 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Gustafsson, Stefan, 1976 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Delsing, Per, 1959 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Olsson, Eva, 1960 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2016-07-13
- 2016
- Engelska.
-
Ingår i: SpringerPlus. - : Springer Science and Business Media LLC. - 2193-1801. ; 5:1, s. 1067-
- Relaterad länk:
-
http://publications.... (primary) (free)
-
visa fler...
-
https://springerplus...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A thickness variation of only one Ångström makes a significant difference in the current through a tunnel junction due to the exponential thickness dependence of the current. It is thus important to achieve a uniform thickness along the barrier to enhance, for example, the sensitivity and speed of single electron transistors based on the tunnel junctions. Here, we have observed that grooves at Al grain boundaries are associated with a local increase of tunnel barrier thickness. The uniformity of the barrier thickness along the tunnel junction thus increases with increasing Al grain size. We have studied the effect of oxidation time, partial oxygen pressure and also temperature during film growth on the grain size. The implications are that the uniformity improves with higher temperature during film growth.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Grain size
- TEM
- Tunnel junction
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Mousavi Nik, Sam ...
-
Krantz, Philip, ...
-
Zeng, Lunjie, 19 ...
-
Greibe, Tine, 19 ...
-
Pettersson, Henr ...
-
Gustafsson, Stef ...
-
visa fler...
-
Delsing, Per, 19 ...
-
Olsson, Eva, 196 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
SpringerPlus
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola