Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:88540ff2-53b1-45dd-9fe4-cb61ac2bfd07" >
Correlation between...
Correlation between Electrical Transport and Nanoscale Strain in InAs/In0.6Ga0.4As Core-Shell Nanowires
-
- Zeng, Lunjie, 1983 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Gammer, Christoph (författare)
- Erich Schmid Institute of Materials Science (ESI)
-
- Ozdol, Burak (författare)
- Lawrence Berkeley National Laboratory
-
visa fler...
-
- Nordqvist, Thomas (författare)
- Niels Bohr Institute
-
- Nygard, J. (författare)
- Niels Bohr Institute
-
- Krogstrup, P. (författare)
- Niels Bohr Institute
-
- Minor, Andrew M. (författare)
- University of California,Lawrence Berkeley National Laboratory
-
- Jäger, Wolfgang, 1948 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Christian-Albrechts-Universität zu Kiel,University of Kiel
-
- Olsson, Eva, 1960 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2018-07-25
- 2018
- Engelska.
-
Ingår i: Nano Letters. - : American Chemical Society (ACS). - 1530-6992 .- 1530-6984. ; 18:8, s. 4949-4956
- Relaterad länk:
-
https://pubs.acs.org...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Free-standing semiconductor nanowires constitute an ideal material system for the direct manipulation of electrical and optical properties by strain engineering. In this study, we present a direct quantitative correlation between electrical conductivity and nanoscale lattice strain of individual InAs nanowires passivated with a thin epitaxial In0.6Ga0.4As shell. With an in situ electron microscopy electromechanical testing technique, we show that the piezoresistive response of the nanowires is greatly enhanced compared to bulk InAs, and that uniaxial elastic strain leads to increased conductivity, which can be explained by a strain-induced reduction in the band gap. In addition, we observe inhomogeneity in strain distribution, which could have a reverse effect on the conductivity by increasing the scattering of charge carriers. These results provide a direct correlation of nanoscale mechanical strain and electrical transport properties in free-standing nanostructures.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Analytisk kemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Analytical Chemistry (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Materialkemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Materials Chemistry (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- InAs nanowire
- transmission electron microscopy
- strain mapping
- piezoresistance
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Zeng, Lunjie, 19 ...
-
Gammer, Christop ...
-
Ozdol, Burak
-
Nordqvist, Thoma ...
-
Nygard, J.
-
Krogstrup, P.
-
visa fler...
-
Minor, Andrew M.
-
Jäger, Wolfgang, ...
-
Olsson, Eva, 196 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Kemi
-
och Analytisk kemi
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Kemi
-
och Materialkemi
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Nano Letters
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola